Memristor, atau transistor memori, adalah elemen penting dalam pengkomputeran neuromorfik – perkomputeran yang dibina berasaskan sistem neuro otak manusia. Dalam peranti neuromorfik, memristor berfungsi sebagai transistor dalam litar, walaupun cara kerjanya lebih menyerupai sinaps otak – persimpangan antara dua neuron. Sinaps menerima isyarat dari satu neuron, dalam bentuk ion, dan menghantar isyarat yang sesuai ke neuron seterusnya.
Transistor dalam litar konvensional menghantar maklumat dengan menukar antara satu daripada hanya dua nilai, 0 dan 1, dan melakukannya hanya apabila isyarat yang diterimanya dalam bentuk arus elektrik mempunyai kekuatan tertentu. Sebaliknya, memristor mempunyai banyak nilai dan dapat menjalankan operasi yang jauh lebih luas daripada transistor binari.
Seperti sinaps otak, memristor juga dapat “mengingat” nilai yang berkaitan dengan kekuatan arus tertentu dan dapat menghasilkan isyarat yang sama jika ia menerima arus yang serupa. Kelebihan ini dapat memastikan bahawa penyelesaian untuk persamaan kompleks atau klasifikasi visual objek dapat dipercayai – suatu kelebihan yang biasanya hanya dapat dilakukan oleh gabungan pelbagai transistor dan kapasitor.
Walau bagaimanapun, reka bentuk memristor yang ada masih terhad kemampuannya. Memristor tunggal terbuat dari elektrod positif dan negatif yang dipisahkan oleh “medium pensuisan” atau ruang antara elektrod.
Apabila voltan dikenakan pada satu elektrod, ion dari elektrod tersebut mengalir melalui medium dan membentuk “saluran konduksi” ke elektrod yang lain. Ion yang diterima membentuk isyarat elektrik yang dihantar oleh memristor melalui litar. Ukuran saluran ion (dan isyarat yang akhirnya dihasilkan oleh memristor) harus sebanding dengan kekuatan voltan perangsang.
Namun, reka bentuk memristor yang ada sekarang berfungsi dengan baik dalam kes di mana voltan merangsang saluran konduksi yang besar, atau aliran ion yang berat dari satu elektrod ke elektrod yang lain. Tetapi reka bentuk ini kurang diharap apabila memristor perlu menghasilkan isyarat yang lebih halus melalui saluran konduksi yang lebih nipis.
RUJUKAN :
- Hanwool Yeon, Peng Lin, Chanyeol Choi, Scott H. Tan, Yongmo Park, Doyoon Lee, Jaeyong Lee, Feng Xu, Bin Gao, Huaqiang Wu, He Qian, Yifan Nie, Seyoung Kim, Jeehwan Kim. Alloying conducting channels for reliable neuromorphic computing. Nature Nanotechnology, 2020; DOI: 1038/s41565-020-0694-5
- https://www.sciencedaily.com/releases/2020/06/200608132518.htm
Perhatian sebentar…
—
Sejak 2012, kami bersungguh menyediakan bacaan digital secara percuma di laman ini dan akan terus mengadakannya selaras dengan misi kami memandaikan anak bangsa.
Namun menyediakan bacaan secara percuma memerlukan perbelanjaan tinggi yang berterusan dan kami sangat mengalu-alukan anda untuk terus menyokong perjuangan kami.
Tidak seperti yang lain, The Patriots tidak dimiliki oleh jutawan mahupun politikus, maka kandungan yang dihasilkan sentiasa bebas dari pengaruh politik dan komersial. Ini mendorong kami untuk terus mencari kebenaran tanpa rasa takut supaya nikmat ilmu dapat dikongsi bersama.
Kini, kami amat memerlukan sokongan anda walaupun kami faham tidak semua orang mampu untuk membayar kandungan. Tetapi dengan sokongan anda, sedikit sebanyak dapat membantu perbelanjaan kami dalam meluaskan lagi bacaan percuma yang bermanfaat untuk tahun 2024 ini dan seterusnya. Meskipun anda mungkin tidak mampu, kami tetap mengalu-alukan anda sebagai pembaca.
Sokong The Patriots dari serendah RM2.00, dan ia hanya mengambil masa seminit sahaja. Jika anda berkemampuan lebih, mohon pertimbangkan untuk menyokong kami dengan jumlah yang disediakan. Terima kasih. Moving forward as one.
Pilih jumlah sumbangan yang ingin diberikan di bawah.
RM2 / RM5 / RM10 / RM50
—
Terima kasih
